삼성전자, 5세대 D램(D1b) 설계 변경 추진

삼성전자는 D1b를 양산 중에 있지만 성능과 수율을 보다 더 끌어 올리기 위해 이같은 조치를 취한 것으로 알려졌다.

이 사안에 밝은 업계 관계자는 “설계를 바꾼다는 건 제조 공정 변화와도 연결되기 때문에 비용이 적지 않게 드는 쉽지 않은 결정”이라며 “그 만큼 개선에 대한 시급성과 필요성, 또 의지가 강하다는 의미가 아니겠냐”고 해석했다.

삼성전자는 D1b 설계 수정에 따라 생산 공정 변경도 추진하고 있는 것으로 파악됐다. 지난해 말 긴급 장비 발주를 내고, 기존 1x 및 1y 등 구공정(레거시) 라인을 고도화하는 방식(테크 마이그레이션)으로 필수 장비만 반입했다.

새로운 D1b는 장비 구축과 시험 가동 등 일정을 고려하면 연내 양산이 예상된다. 이르면 2분기 또는 3분기 출시 가능성도 점쳐진다.

삼성전자가 D1b 설계 변경에 착수한 건 경쟁사 대비 제품 경쟁력이나 양산성이 부족하다는 판단도 깔린 것으로, 이를 개선할 수 있을 지 주목된다.

실제로 SK하이닉스와 마이크론은 인공지능(AI) 시대 필수 메모리로 떠오른 고대역폭메모리(HBM)에 D1b를 탑재하고 있는 반면 삼성전자는 D1a를 넣고 있다.

삼성전자는 D램 경쟁력 강화를 위해 D1b 설계 변경 외에도 'D1b-p'라고 불리는 새로운 개발 프로젝트도 가동한 것으로 확인됐다.

D1b-p는 전력 효율과 발열을 개선하는데 초점을 맞춘 것이 특징으로, '뛰어나다'는 의미를 가진 영단어 '프라임(prime)'의 p를 썼다.

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